Ⅲ-Ⅴ族表面處理

III-V 族化合物半導體粗化產品

砷化鎵(GaAs)是一種由鎵(Ga)和砷(As)所組成的化合物半導體，其具有優異的電子和光學特性，被廣泛應用於高頻電子元件、光電元件和光通訊系統。

·適用於高速與高頻應用的高電子遷移率。

·可有效發射與吸收紅外光(0.8-0.9µm)適用於光電元件的直接能隙。

·在較高功率與高溫環境下運作的擊穿電場值。

現今，砷化鎵廣泛應用在 5G 通訊中的及光通訊產業中。

磷化銦(InP)是一種由銦(In)和磷(P)組成的化合物半導體。它以高電子遷移率、低本徵載子濃度及優異的光學性質聞名，主要應用於高速光通訊、紅外光電偵測、高頻電子元件等領域。相較於砷化鎵，磷化銦的應用波長為 1.3–1.55 µm，符合光纖低損耗波段，適合光纖通訊並適用於數據中心、5G 回傳、光纖網路，且磷化銦具備優異的抗輻射特性，適用於衛星、深空探測器是未來發展中不可或缺的重要材料。

半導體發光元件的表面必須經過表免粗糙化處理，才可以將其放光效率最大化，其簡單示意圖如下：

因此，我們針對砷化鎵(GaAs)與磷化銦(InP)開發專屬的表面粗化劑：

·砷化鎵表面粗化劑已可達到與市售產品相同的結果，並且我們提供客製化的配方最佳化服務，歡迎來電洽詢。

·磷化銦的生產製程較仍未完全成熟，但我們已經有與協力廠商合作的經驗，並掌握磷化銦表面粗糙化的配方調整方式，因此，如有磷化銦表面粗化劑的需求歡迎來電洽詢。