JFN-SLE01

使用一般氫氟酸基底配方做殘餘物清洗之示意圖

由於氫氟酸對熱生成二氧化矽與殘餘物蝕刻的選擇比並不良好，故在清洗殘餘物時會造成原生二氧化矽層的受損，且氫氟酸對於二氧化矽的蝕刻率過高，使得清洗流程不易控制。

使用JFN-SLE01進行殘餘物清洗之示意圖

JFN-SLE01為我們公司針對殘餘物清洗所調整出的特殊配方，JFN-SLE01對於熱生成二氧化矽和殘餘物的蝕刻選擇比相當優良，可以達到15以上的選擇比，故在清洗殘餘物時並不會對於主體結構造成明顯損害。JFN-SLE01對熱生成的二氧化矽

JFN-SLE01 清洗範例

下圖為使用JFN-SLE01清洗二氧化矽結構中的蝕刻殘留物的前後對照圖，可以明顯看到柵狀結構中的殘留物被移除，但是柱狀的二氧化矽仍保持完整狀態。

JFN-SLE系列以及BOE500:1對於不同物質的蝕刻速率比較表

JFN-SLE系列只對於蝕刻後殘留物有較高的蝕刻率，對於不同成分和殘留物的蝕刻選擇比相當良好，故在使用上傷害到本體主結構的情況較不易發生。

此外JFN-SLE系列可以微調溫度以調整整體蝕刻率，使用者可以根據需求做調整。